SK海力士近日公布了一種以高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF）為核心的全新半導體架構概念。HBF是一種將多層NAND閃存芯片堆疊而成的存儲技術。據《韓國經濟新聞》（Hankyung）報道，該公司近期在電氣與電子工程師協會（IEEE）上發表論文，首次詳細闡述了這一名為“H3”的架構理念。所謂“H3”，即混合架構（Hybrid HBM+HBF Architecture），將高帶寬內存（HBM）整合于同一設計中。報道稱，在當前主流AI芯片（包括英偉達計劃于今年下半年發布的Rubin平
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人工智能競賽的最大贏家是誰？人工智能超級周期正在重塑半導體和電子產業，人工智能基礎設施的大規模建設讓整個供應鏈承壓。集邦咨詢的預估數據顯示，盡管英偉達等人工智能加速器研發企業正借人工智能熱潮賺得盆滿缽滿，但存儲芯片廠商才是最大的獲利者。究其原因，除大宗商品市場的運行規律外，存儲芯片廠商與芯片代工廠的商業模式、擴張策略存在本質差異，是造就這一結果的關鍵。需求激增，供應告急集邦咨詢預測，2026 年全球芯片代工市場營收預計為 2187 億美元，而 3D NAND 閃存和 DRAM 動態隨機存取存儲器的營收總額
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隨著存儲芯片價格持續上漲，三星電子與SK海力士有望實現NAND閃存業務毛利率的歷史新高。據ZDNet報道，兩家公司預計將在今年上半年繼續激進上調NAND產品價格，業內預估其毛利率將攀升至40%–50% 區間。ZDNet指出，這將是NAND產品近十年來首次達到如此高的盈利水平——上一次類似盛況還要追溯到2017年的存儲“超級周期”。報道補充稱，早在2025年第四季度，NAND毛利率已升至約20%。報道援引業內人士消息稱，市場普遍預期NAND價格將在第一季度和第二季度分階段持續上漲。由于存儲廠商對N
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1月最后一個交易日存儲價格突然受到AI需求可能緊縮的影響出現暴跌，雖然這波行情可能屬于短期震蕩，但這還是為很多存儲廠商亮麗的年報蒙上一層陰影
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SK 海力士正在美國設立 AI Co. 以擴大其在美業務。
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內存供應緊張局面仍在持續。據《日經亞洲》援引消息人士稱，三大存儲芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星電子（Samsung Electronics）已加強對客戶訂單的審查，以防止蓄意囤積庫存。報道稱，這三家公司已收緊要求，要求客戶提供終端客戶信息及訂單數量，以確保需求真實，避免過度預訂或大規模囤貨進一步擾亂市場。在當前持續短缺的背景下，報告指出，入門級和中端消費電子產品——如電視機、機頂盒、家用路由器、低價平板電腦、智能手機和PC——預計將受到最嚴重沖擊，而汽車行業也可能
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1 月 28 日消息，據韓聯社報道，在今年圍繞下一代高帶寬內存（HBM）HBM4 供應的競爭讓半導體行業持續升溫之際，業內消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達今年用于下一代 AI 平臺“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，約三分之二已分配給 SK 海力士，拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數據相比此前市場預計 SK 海力士將供應英偉達 50% 以上 HBM4 的水平，明顯有所提升。去年年底，市場調研機構 Counterpoint 預測，今年全球 HBM
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- ChatGPT 開發商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤：“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯盟面臨挑戰主導人工智能（AI）半導體市場的 NVIDIA 大本營出現了裂縫。開創AI時代的ChatGPT開發商OpenAI決定量產AMD的下一代AI加速器，該加速器被認為是NVIDIA的唯一競爭對手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4（第6代高帶寬內存）。三星電子（005930）有觀察稱，英偉達將作為主要供
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Source: Getty image /Sefa ozel韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry日前公布了其用于電容器的多層厚金屬間電介質（IMD）工藝，該工藝具有高擊穿電壓特性，這一特性不僅有助于提升半導體器件的安全性、可靠性與使用壽命，同時還能增強抗噪聲能力。該工藝可支持堆疊多達三層金屬間電介質，在金屬—絕緣體—金屬結構中，總厚度最高可達到18微米（μm）。這可提供高達19,000伏特的高擊穿電壓特性，并有效提升電容性能。預計該技術將用于制造數字隔離專用電容器，以及用于抑制電子電路中電容耦
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據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
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SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發，并最終準備好大規模生產——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據其新聞稿，該公司現在已準備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強調，其現已成為大規模生產準備的 HBM4 提供了業內領先的數據處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預計 HBM4 將使 AI 服務性能提高高達 69%，有助于克服數據瓶頸，并顯著降低數據中心電力成本，據
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據《彭博社》報道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監管復雜性，但至少可以維持晶圓廠運營的連續性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應。以前，三星和 SK 海力士在經過驗證的最終用戶（VEU）狀態下運營，這使他們能夠根據事先遵守美國安全和監控措施，獲得進口受限晶圓廠設備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準，這大大簡化了他們的運營。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國商務部最近向韓國官員
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ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰。鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一
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周六，中國商務部回應了美國撤銷英特爾、三星和海力士在中國制造業務的“驗證最終用戶”（VEU）授權的決定。周五，美國商務部宣布將英特爾半導體（大連）有限公司、三星中國半導體有限公司和SK海力士半導體（中國）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權允許受美國限制的出口商將某些高科技民用物品運送到預先批準的實體，而無需為每批貨物單獨出口許可證。中國商務部將美國此舉描述為“出于美國的政治動機和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國在半導體技術方面的發展。該部還表示，美國。是“故意擾亂和破壞全球
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